浅谈半导体器件的专利申请概况

材料制成的器件的总称。这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件（即晶体二极管）的基本结构是一个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管（又称晶体三极管）。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄像器件或信息存储器件等。

2、有关半导体领域的专利分布情况分析

1）近几年专利申请量分析

在中文摘要数据库中，以关键词“半导体器件”为关键词进行检索，并限定申请日，可以统计出近几年有关半导体器件专利申请量变化情况。

从图1可以看到，从2006年到2014年，有关半导体器件的专利申请量呈现先降低，然后逐年上升的趋势，总体专利申请量的变化不大，这说明有关半导体器件领域的技术已经相对比较成熟，统计得出的2013-2014年的申请量低可能是因为部分申请没有得到公开，所以统计数据有一定的误差。

2）专利申请主体分析

在中文摘要数据库中，以关键词“半导体器件”为关键词进行检索，并限定申请人，可以得到不同申请人有关半导体器件的专利申请量情况。

从图2可以看出，国内外公司都对半导体器件进行了大量的研究，但是申请量最大的是日本和韩国公司，中国内地申请相对比较少。

3）分类号分析

在中文摘要数据库中，以关键词“半导体器件”为关键词进行检索，并限定分类号，可以得到有关半导体器件的主要所属分类号情况。

从图3中可以看出，该项技术的申请主要被分入了H0L21/00（专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备），H04L29/78（由绝缘栅产生场效应的场效应晶体管）以及H04L21/02（半导体器件或其部件的制造或处理）中。

20世纪70年代末，半导体产业中心从美国转移到日本，而20世纪80年代末，韩国与中国台湾成为半导体产业的主力。每一次产业中心转移，都引发了整个产业的剧烈震荡，这种力量也给那些新兴国家和地区带来了巨大的经济动力。

这种转移在日本造就了日立、东芝、三菱电气、富士通和NEC等世界顶级的半导体制造商。而仅仅通过十余年的不懈努力，韩国成为继美国、日本之后的世界第三个半导体产业中心，自上个世纪90年代中期以来，半导体产值一度占据韩国出口产品的第一位。韩国三星公司更成为世界第一存储器生产大厂。随着中国作为新的世界制造战略基地的崛起，中国半导体厂的兴建经历了一股热潮。仅仅几年前，中国的半导体厂还距世界先进水平有着四五代的巨大差距，而今，这差距已被迅速缩小至一两代。中国在半导体产业的制造方面成就巨大，但是对于科技创新能力却需要进一步加强和挖掘。

参考文献

[1] 半导体器件发展历程及其展望，肖德元、陈国庆，固体电子学研究与进展，第26卷第4期，200611.

[2] 有机半导体器件的现状及其发展趋势，陈海明、靳宝善，纳米器件与技术，第47卷第8期，201004.

[3] 半导体器件的发展与固态纳米电子器件研究现状，张楷亮、刘玉岭、王芳，纳米器件与技术，200301.

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