ＣＭＯＳ射频集成电路的设计（第二版）

Thomas H．Lee，Stanford University，USA

The Design of CMOS

RadiO-Frequency IntegFated CirCuitS

Second Edtion

2004，797pp.

Hardcover GBP45．00

ISBN 0-521-83539-9

Cambridge

本书是《10⁹赫射频(RF)集成电路设计指南》修订后的第二版。自1998年第一版问世后，RFCMOS的商品化突飞猛进，不少公司用CMOS技术制造RF线路，大学也把CMOS作为教学内容，109赫频率上的噪声系数在实际线路中已低于1dB，优良的RF器件模型也相继出现……这些都为本书的适时修订提供了充分条件。

为了沟通系统和线路间的问题交流，第二版增设了有关无线系统原理的章节。对低噪声放大器、振荡器和相位噪声的章节作了重要扩展。为了实现新的技术要求，本书的其它部分也作了修正。

全书共20章：1．无线电的非线性历史；2．无线电原理概观；3．无源RLC网络；4．无源IC元件特性；5．评论MOS器件的物理性质；6．分布系统；7．史密斯圆图和S·参数；8．带宽估计技术；9．高频放大器设计；10．基准电压和偏置；11．噪声；12．LAN设计；13．混频器；14．反馈系统；15．RF功率放大器；16．锁相环；17．振荡器和综合器；18．相位噪声；19．结构；20．历经百年的RF线路。

本书使用了大量的物理学知识和插图设计，用历史概观对上下文承前启后，另还包括几百个电路图和许多思考题。这是一本学生RF设计教程的理想教科书，也是实习工程师的一本有价值的参考书。

罗银芳，研究员

(中国科学院计算技术研究所)

Luo Yinfang，Professor

(Institute of Computing Technology，the Chinese Academy of Sciences)

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