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时间：2022-05-02 12:45:03 浏览次数：次
Raimtron 1 Mbit串行F-RAM满足汽车标准要求
Ramtron宣布其1Mbit2.0V～3.6V串行F-RAM内存FM2 5V10-G通过了AEC-Q100Grade 3标准认证这项严格的汽车等级认证是汽车电子设备委员会(Automotlve Electronic Council,AES)针对集成电路而制定的应力测试认证。目前Ramt ron公司符合AEC-Q100标准的内存产品已增加至15种这些产品都经过专门设计以满足汽车市场的严苛要求。通过Grade-3认证保证器件能够在一40℃～+85℃的汽车使用温度范围内正常运作。
FM25V10-G是Ramtron公司V系列非挥发性F-RAM内存的成员,具有2.0V-3.6V的大范围工作电压。它是1Mbit串行SPI器件工作电流为3.0mA(40MHz下的Idd),采用工业标准8接脚SOIC封装。FM25V10-G在40MHz全总线速度下运作具有无延迟(NoDelay) 写入功能、几乎无限的耐用性和低功耗等特点。该器件是汽车、工业控制计量,医疗、军事、游戏以及运算等应用中IMbit串行闪存和串行EEPROM内存的理想即插即用式(dtop-in)替代产品。
Ramtron公司V系列F-RAM产品包括多种串行1℃串行SPI和并行内存。V系列产品能够实现更好的技术规格和更丰富的功能集。串行V系列产品备有可选用之独特64位序号由一个16位客户I D、一个40位制造序号以及需要独特电子编号的8位循环冗余代码系统校验组成,提供了更高等级的安全性。
Ramtron已开始提供符合RollS标准的8接脚SOIc封装FM25V10-G器件。
Micron推出第三代低延时内存
Mic ron日前推出了第三代低延时DRAM(RLDRAM(R)3内存)一种高带宽内存技术能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和云计的蓬勃发展产生了对更高效网络基础设施的需求,以便在线传输大量数据。与前几代产品相比,Micron新的RLDRAM 3内存进一步提高了存储密度和速度。同时最大限度地减少了延迟降低了功耗在网络应用中性能更好。
对于现有的RLDRAM 2,Micror将继续提供最高水平的技术支持并计划长期生产该产品。此外Micron正将其RLDRAM 2产品组合转入更先进的50nm工艺提高系统性能降低功耗。
RLDRAM 3内存的主要特点:
·低延时:tRC不足10纳秒是业界最低的随机存取延时
·高密度:576Mb-1Gb灵活性高可用于多种设计
·高速率:达21 33Mb/s数据存取速度更快
·高能效:1.2V IO和1 35V内核电压,更省电
Micron维持着庞大的合作伙伴网络使其RLDRAM存储解决方案能更方便地与网络设备集成。Micron与其合作伙伴展开了广泛合作为客户提供量身定制的解决方案,优化网络系统性能。Micron目前合作的FPGA公司有Altera和xilinxRLDRAM 3内存可集成到其产品系列中。
Micron预计将在2011年上半年开始对其RLDRAM 3进行抽样。目前正与客户合作,征求其对RLDRAM 3内存设计的意见。此外Micron预计将在2010年第四季度开始对其50nm RLDRAM 2产品进行抽样。
飞兆半导体5V TlnyBoost稳压器帮助智能
手机和PMP实现更现更丰富的用户体验
随着便携产品开始动摇以PC为中心的世界手机、智能电话,数码相机及其它设备之间的相互通信能力变得越来越重要。为此飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出一款5V 300mATinyBoost稳压器产品FAN4860该器件兼具高效率和小外形特性,可为USB OTG和HDMI通信线路供电。
FAN4860器件的开关频率高达3MHz允许使用小电容和小电感在空间受限设计中节省宝贵的线路板空间并降低材料清单(80M)成本。FAN4860备有两种封装选项:WL-CSP(0.88mm×1.23mm)和超薄M_P(2mm×2mm)FAN4860使总体解决方案的占位面积仅为2.2mm×3.9mm。
这款稳压器在此类小外形器件中具有业界最高的效率通过优化功率传输(power train)及降低静态电流等方法延长了电池寿命。在VIN为3.6V的轻负载(1mA)情况下FAN4860效率为84%负载为200mA时效率则为91%。此外电池和负载之间是实现真正断开这可消除关断期间的电池漏电现象延长手机关机的电池寿命。即便使用小输出电容FAN4860也可提供出色的瞬态响应特性。
这款易于设计的解决方案非常适用于移动设备市场常见的快速设计周期,因而成为手机、智能电话、PMP及锂离子电池供电便携设备的理想选择。FAN4860是飞兆半导体在便携和消费产品设计中延长电池寿命和节省线路板空间方面众多解决方案的又一个例证。飞兆半导体借助广泛的模拟和功率IP产品组合以及系统级专有技术开发出实现用户满意和市场成功的解决方案。FAN4860与飞兆半导体的core power和电池管理解决方案相辅相成其中包括6MHz 600mA降压稳压器产品FAN5361它允许使用微型470nH片状电感和0402大小输入和输入电容。另外还包括获奖的800mA/1000mA 3MHz降压转换器产品FAN5355该器件带有实现动态电压调节的I2C接口。
赛普拉斯推出全球首132-Mbit和64-Mbit快速异步SRAM
赛普拉斯半导体日前推出32-Mblt和64-Mbit快速异步SRAM开创业界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上拥有非常快的响应时间和最小化的封装尺寸。目标应用领域包括存储服务器、交换机和路由器、测试设备、高端安全系统和军事系统。
CY7C1 071 DV33 32-Mbit 3V和CY7C1 081DV33 64-Mbit 3V快速异步sRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的访问时间可达12ns。器件采用符合RoHS标准的48-BGA封装方式尺寸分别为8.0mm×9.5mm×1.2mm和8.0mm×9.5mm×1.4mm此为同样存储密度的最小器件尺寸。新型快速异步SRAM系采用赛普拉斯的高
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